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[发明专利]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202011448904.2在审
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创新能源汽车智慧能源装备创新中心（江苏）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本发明针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本发明既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[实用新型]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202022962171.6有效
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创移动能源创新中心（江苏）有限公司;万帮数字能源股份有限公司;万帮星星充电科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本实用新型针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本实用新型既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[发明专利]宽禁带半导体器件及其制备方法-CN201410379970.7有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本发明还提供了一种制作本宽禁带半导体器件的方法。本发明的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构
宽禁带半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器-CN202011553364.4在审
发明人：项晓东;顾川川;张鹏 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器，宽禁带半导体器件包括：泵浦光源和宽禁带半导体结构；泵浦光源用于出射泵浦光束；宽禁带半导体结构位于泵浦光束的传播路径上，用于接收泵浦光束并基于泵浦光束产生光生载流子；其中，泵浦光束的光子能量大于或者等于宽禁带半导体结构的能隙。本发明解决了现有技术中采用掺杂方式无法制备某些类型的宽禁带半导体以及由于掺杂导致宽禁带半导体材料缺陷降低应用性能的技术问题。
一种宽禁带半导体器件及其制备方法探测器调制器

[实用新型]宽禁带半导体器件-CN201420436988.1有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司;星野政宏
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种宽禁带半导体器件，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本实用新型的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构
宽禁带半导体器件

[发明专利]光解水制氢的催化电极及其制备方法-CN201410177232.4无效
发明人：戴海涛;张晓利;孙小卫;王树国 -专利权人：天津大学
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C25B11/02 文献下载
摘要：催化电极是宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体三层结构复合光电极。在透明导电电极上生长宽禁带半导体纳米线；在生长的宽禁带半导体纳米线表面，负载贵金属，形成宽禁带半导体/贵金属纳米粒子结构；在宽禁带半导体/贵金属纳米粒子结构上，覆盖CdS涂层，形成宽禁带半导体/贵金属纳米粒子本发明的宽禁带半导体/贵金属纳米粒子/窄带半导体。宽禁带半导体纳米结构主要是为了提高表面积界面接触，随后贵金属纳米粒子的引入，不仅可以提高光能利用效率，提升了产氢量，而且大大增强了电极的耐腐蚀性能。
光解水制氢催化电极及其制备方法

[发明专利]宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法、一种光电极-CN200810000929.9无效
发明人：孙文涛;彭练矛 -专利权人：北京大学
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种高转换效率量子点敏化的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜及其制备方法，以及采用这种宽禁带半导体纳米管/线阵列膜的光电极。本发明的宽禁带半导体纳米管/线阵列膜，包括宽禁带半导体纳米管/线阵列和导电基底，所述宽禁带半导体纳米管/线阵列中填充有窄禁带半导体量子点纳米颗粒。本发明采用阳极氧化法制备宽禁带半导体纳米管/线阵列膜；用化学沉积法制备窄带半导体量子点敏化的纳米管/线阵列膜。采用本发明这种宽禁带纳米管/线阵列膜的光电极应用于光电化学池中，光电转换效率得到很大提高。
宽禁带半导体纳米阵列及其制备方法一种电极

[发明专利]一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池-CN201710849974.0在审
发明人：张子庚;张瑜桀;张核元;张镁元;任琤;任易 -专利权人：壹号元素（广州）科技有限公司
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源；所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线，所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结，所述多个纳米线相互交错设于宽禁带半导体纳米线层内，所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极与顶部电极之间，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层和顶部电极之间。本发明所述无序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，使用的能量转换材料为半导体纳米线，最大限度地提高放射源衰变粒子的利用率，且通过并联或串联方式实现多组电池单元多层堆垛集成封装，可达到高的单位体积输出功率
一种无序排列宽禁带半导体纳米同位素电池

[发明专利]具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法-CN201810229412.0在审
发明人：陈显平;马荣耀;叶怀宇;檀春健;罗厚彩;王黎明;王少刚 -专利权人：重庆大学
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有浮岛结构的宽禁带半导体VDMOSFET器件及其制造方法，包含绝缘介质层(1)、多晶硅栅电极(2)、金属化源电极(3)、第二导电类型宽禁带半导体体区(4)、第一导电类型宽禁带半导体源接触区(5)、重掺杂第二导电类型宽禁带半导体源接触区(6)、第一导电类型宽禁带半导体漂移区(7)、重掺杂第一导电类型宽禁带半导体衬底(9)与金属化漏电极(10)；所述金属化源电极(3)、第一导电类型宽禁带半导体漂移区(7)、重掺杂第一导电类型宽禁带半导体衬底(9)和所述金属化漏电极(10)自上而下依次层叠设置。
宽禁带半导体第一导电类型重掺杂导电类型浮岛结构金属化源源接触区金属化漏电极漂移区电极衬底多晶硅栅电极外延层电阻率绝缘介质层导通电阻击穿电压依次层叠体区半导体制造

[发明专利]具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法-CN201910754050.1有效
发明人：段宝兴;杨鑫;王夏萌;孙李诚;张一攀;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法，该IGBT器件主要是在宽禁带材料P+型衬底上外延生长形成掺杂浓度较低的N型宽禁带外延层，对N型宽禁带外延层进行部分刻蚀与P+型衬底整体形成凸字型结构，再以该凸字型结构为基础生长N型硅材料外延层，刻蚀凹槽深入N型宽禁带外延层顶部，采用硅成熟工艺形成IGBT器件的有源区。利用宽禁带材料的高临界击穿电场特性，通过击穿点转移技术，将槽栅拐角处栅氧的强电场引入宽禁带材料中，抬高了器件的纵向电场峰，IGBT器件可承担更高的击穿电压，同时宽禁带材料的高热导率特性有利于器件散热，提高了器件可靠性
具有部分宽禁带材料异质结 igbt 及其制作方法

[实用新型]一种功率半导体器件-CN202222654929.9有效
发明人：谢峰;吕一航;张孟杰 -专利权人：深圳市禾望电气股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率半导体器件，包括焊接于金属件主体上的宽禁带MOS芯片组，宽禁带MOS芯片组包括至少两个宽禁带MOS芯片，所有宽禁带MOS芯片相互并联在一起，各个宽禁带MOS芯片并联后的源极连接于器件封装主体的主体源极，各个宽禁带MOS芯片并联后的栅极连接于器件封装主体的主体栅极，各个宽禁带MOS芯片并联后的漏极与金属件主体导通并通过金属件主体连接至所述主体漏极，所述主体源极及所述主体栅极与所述金属件主体之间进行绝缘处理；该功率半导体器件内部采用多个相对小的宽禁带MOS芯片并联，在实现同样的电流情况下减小芯片的占用面积，提高芯片加工及器件封装的良率，降低器件成本。
一种功率半导体器件

[发明专利]一种用宽禁带半导体改善氮化镓N面欧姆接触的方法-CN202210943620.3在审
发明人：刘新科;马正蓊;王灏帆;李博;黎晓华;黄双武;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种用宽禁带半导体改善氮化镓N面欧姆接触的方法，通过取GaN的单晶外延片，对单晶外延片进行清洁，通过在GaN单晶衬底上设置宽禁带半导体薄膜，以在GaN单晶衬底上形成宽禁带半导体层，再通过在宽禁带半导体层上设置金属膜，以在宽禁带半导体层上形成金属层，对已经形成有宽禁带半导体层和金属层的GaN单晶衬底进行退火处理，以获得改善后的欧姆接触，所以克服了现有金半接触技术不能满足GaN基器件的稳定性和可靠性需求的技术问题，进而达到了在宽禁带半导体薄膜掺入金属电极和氮化镓N面之间改善欧姆接触，实现接触界面的缺陷降低和热稳定性提高的技术效果。
一种用宽禁带半导体改善氮化欧姆接触方法

[发明专利]一种提高宽禁带半导体载流子浓度的方法-CN202211204973.8有效
发明人：杨学林;沈波;黄华洋;陈正昊;杨志坚;王新强 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高宽禁带半导体载流子浓度的方法，通过高温退火结合原位高强度紫外光照的方法提高宽禁带半导体材料中的载流子浓度，包括：室温下用光子通量1017~1019 cm‑2 s‑1的高强度紫外光照射宽禁带半导体材料，在保持紫外光照射的同时，让宽禁带半导体材料升温至退火温度，维持退火温度一段时间，然后降温至室温，结束紫外光照射，得到载流子浓度提高的宽禁带半导体材料。该方法操作简单，不影响宽禁带半导体材料的生长过程，保持最优的晶体质量，同时可以有效降低宽禁带半导体材料中补偿性缺陷的密度，提高载流子浓度，从而提高器件的性能和可靠性，具有很强的实用性。
一种提高宽禁带半导体载流子浓度方法

[发明专利]发光二极管的外延发光结构-CN201910318051.1有效
发明人：樊本杰;陈和谦;邓顺达;杨鸿志;谢政璋 -专利权人：开发晶照明（厦门）有限公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：多个阱层被区分为宽禁带阱层、中宽禁带阱层与窄禁带阱层。最靠近空穴提供层的前三层阱层都是宽禁带阱层，且最靠近电子提供层的阱层为宽禁带阱层或中宽禁带阱层。通过前述技术手段，发光二极管结构所产生的宽频带光谱具有较大的半高宽或具有多个峰值波长。
发光二极管外延发光结构

[发明专利]一种新型的异质结太阳能电池-CN201310310101.4有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

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